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电源模块回收
电源模块是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器，其特点是可为集成电路（ASIC）、数字信号处理器 (DSP)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列 (FPGA) 及其他数字或模拟负载提供供电。一般来说，这类模块称为负载点 (POL) 电源供应系统或使用点电源供应系统 (PUPS)。由于模块式结构的优点甚多，因此模块电源广泛用于交换设备、接入设备、移动通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和汽车电子、航空航天等。

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通信IC回收
据世界半导体贸易统计协会(WSTS)日前发布的一份预测报告显示，世界半导体市场未来三年将保持两位数的增长，这份报告还表明，全球半导体业之所以能够复苏，通信产业的迅猛发展功不可没，近年来通信集成电路IC芯片的需求大幅度增长，给全球半导体业注入了新的活力。在近两年里，三网融合的大趋势有力地推动了芯片业的发展，通信芯片在移动通信、无线Internet和无线数据传输业的发展，开始超过了PC机芯片的发展。IDC的预测，通信IC芯片，尤其是支持第三代移动通信系统的IC芯片，将成为21世纪初全球半导体芯片业大的应用市场。

深圳市益承电子科技有限公司
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IGBT模块回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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MOS管回收
mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

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IC回收注意事项:
IC的具体情况，包含物料型号、数量、年份、品牌、封装、是否全新原装、包装是否完好等情况。回收IC是根据相关物料BOM表进行报价，所以相关参数越清楚价格越高；
通信模块回收
通信模块广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、身份识别、非接触RF智能卡、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、机器人控制、无线232数据通信、无线485/422数据通信、数字音频、数字图像传输等领域中。

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芯片在使用过程中，电子在不停撞击着金属铜，把它推向一侧，另导线断裂。热载流子会撞击栅极氧化层，令其损坏，导致器件失效，即所谓的HCI。在高温下，介电层会慢慢的失效，导致本来隔离的两个部分之间发生短路，所谓的TDDB。也就是说芯片也是有寿命的，芯片就是会坏的。
三极管回收
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。