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GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。
近几年,白光LED的研发成果：2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen，流明)，他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景.
目前除日亚化学和住友电工外，还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普，美商Cree，3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产，对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用。
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