关键词 |
INFINEON/英飞凌常用型号大全 |
面向地区 |
静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器,用于驱动MOSFETs,IGBTs,碳化硅MOSFET, 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此,我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,适用于任何功率器件,和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT),有源米勒钳位,直通短路保护,故障报告,关断,过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IPB180N04S401ATMA1
BSZ42DN25NS3GATMA1
BSS816NWH6327XTSA1
IPD60N10S4L12ATMA1
BSC340N08NS3G
BSC028N06LS3G
BSS223PWH6327
BSZ900N15NS3G
BSC440N10NS3G
BSC036NE7NS3G
BGA427H6327XTSA1
BGB707L7ESDE6327XTSA1
ESD108-B1-CSP0201E6327
ESD113B102ELE6327XTMA1
IAUA180N04S5N012AUMA1
英飞凌常用型号常备现货,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低,仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压,并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势,面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力,功耗极低。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IRLML9303TRPBF
IRF3710STRLPBF
IRLML2246TRPBF
IRFS7530TRL7PP
IRLML5103TRPBF
IRLML6246TRPBF
IRFHM9331TRPBF
BSC0802LSATMA1
IRFR3410TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLMS6802TRPBF
IRFS4229TRLPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRLR024NTRLPBF
IRFR6215TRLPBF
芯片提供商,每一片都是原装,让您用的放心,助力贵公司发展!
英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品,专为汽车申请,符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子,其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面,主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压(V一般事务人员) 导通(与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压)。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术,通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!手机同号。
济南本地INFINEON热销信息