STD5N20LT4，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述：
主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF4N62K3
STF5N52K3
STF5N60M2
STF5N80K5
STF5N95K3
STF5N95K5
STF5NK100Z
STF6N60M2
STF7LN80K5
STF7N105K5
STF7N60DM2
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

STM32F105R8T6特性：
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF26N65DM2
STF26NM60N
STF27N60M2-EP
STF28N60DM2
STF28N60M2
STF28N65M2
STF2LN60K3
STF2N62K3
STF2N95K5
STF33N60DM6
STF33N60M2
STF33N65M2
STF35N65DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分MOSFET型号：
SCTH35N65G2V-7
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH50N120-7
SCTH70N120G2V-7
SCTL90N65G2V
SCTW35N65G2VAG
SCTWA35N65G2V-4
SCTWA40N120G2V-4
SCTWA60N120G2-4
SCTWA70N120G2V-4
SCTWA90N65G2V
SCTWA90N65G2V-4
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号：
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
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STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB37N60DM2AG
STB45N30M5
STB46NF30
STB47N50DM6AG
STB47N60DM6AG
STB4NK60Z-1
STB4NK60ZT4
STB55NF06LT4
STB55NF06T4
STB57N65M5
STB5N80K
STB60NF06LT4
STB60NF06T4
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STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
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STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD3NK100Z
STD3NK50ZT4
STD3NK60Z-1
STD3NK80Z-1
STD3NK80ZT4
STD3NK90ZT4
STD40NF03LT4
STD40NF10
STD45N10F7
STD4LN80K5
STD4N80K5
STD4N90K5
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STFW2N105K5，N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW45N65M5，N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STF10NM60N
STF10P6F6
STF11N50M2
STF11N60DM2
STF11N60M2-EP
STF11N65M2
STF11N65M2(045Y)
STF11N65M5
STF11NM50N
STF11NM60ND
STF11NM65N
STF11NM80
STF12N120K5
STF12N50M2
STF12N65M2
STF12N65M5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！