关键词 |
ST意法单片机 |
面向地区 |
RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号：
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！
SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号：
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！
STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32C011F4P6
STM32C011F6P6
STM32C031F6P6
STM32C031G6U6
STM32G031J6M6
STM32G050K8T6
STM32L011F3P6
STM32C031C6T6
STM32L011G3U6
STM32G031K6T6
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！
| 主营行业：IC集成电路 |
| 公司主营：MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片 |
| 主营地区：深圳 |
| 企业类型：有限责任公司(自然人独资) |
| 注册资金：人民币1000000万 |
| 公司成立时间：2018-12-27 |
| 经营模式：生产型 |
| 最近年检时间：2018年 |
| 登记机关：南山局 |
| 经营范围：电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售；投资兴办实业（具体项目另行申报）；经营电子商务；商务信息咨询；互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售；国内贸易；经营进出口业务。（以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）^ |
| 公司邮编：518000 |
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